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J-GLOBAL ID：200903055429114823
半導体発光素子
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001150026
Publication number (International publication number)：2002344017
Application date： May. 18, 2001
Publication date： Nov. 29, 2002
Summary：
【要約】【課題】 高輝度で製造コストが低く、かつダイシング等による剥離の問題がない半導体発光素子を提供する。【解決手段】 第一導電型の基板1に、第一導電型のクラッド層2と第二導電型のクラッド層4とに挟まれた活性層3からなる発光部層12と、金属酸化物からなる透明導電層7とが形成された半導体発光素子であって、透明導電層7の下地層として化合物半導体層6が形成されている半導体発光素子。化合物半導体層6は、二元系(InP、InAs)、三元系(AlInAs、AlInP、AlGaP、AlGaAs、GaInAs、GaInP)、四元系(AlInAsP、AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP、GaInAsP)、又は五元系(AlGaInAsP)からなる。Gaのモル比は0.2以下である。
Claim (excerpt)：
第一導電型の基板に、第一導電型のクラッド層と第二導電型のクラッド層とに挟まれた活性層からなる発光部層と、金属酸化物からなる透明導電層とが形成された半導体発光素子であって、前記透明導電層の下地層として化合物半導体層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
F-Term (11)：
5F041AA03
, 5F041AA41
, 5F041AA43
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA64
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA99
Cited by examiner (3)
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半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平10-040707
Applicant：株式会社東芝
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AlGaInP系発光装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-216403
Applicant：信越半導体株式会社
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半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平11-184328
Applicant：株式会社東芝
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