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J-GLOBAL ID：200903058368610406

窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor：
上村 俊也

About 上村 俊也

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野杁 静代

About 野杁 静代

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堀内 茂美

About 堀内 茂美


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998036619
Publication number (International publication number)：1999220171
Application date： Feb. 02, 1998
Publication date： Aug. 10, 1999
Summary：
【要約】【課題】フリップチップ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、光の反射効率の優れた金属を正電極に用いる場合に、これらの金属の中にはマイグレーションを起こし易く、電極の材料としては向いていない金属がある。【解決手段】p型半導体側のコンタクト層に接続する銀(Ag)などからなる第1の金属層と、この第1の金属層の表面及びこの第1の金属層に覆われていないコンタクト層の表面を覆う第2の金属層とによりコンタクト層に接続する電極を形成した。また、第2の金属層のコンタクト層に対する単位面積当たりの接触抵抗の値を第1の金属層の値よりも大きくした。また、第1の金属層または第2の金属層を複数の種類の金属により多層構造に形成することにより、コンタクト層に対する接合強度の強化を図った。これらの手段により、電極による光の反射効率が高く、寿命の長い発光素子が得られた。
Claim (excerpt)：
基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、p型半導体側のコンタクト層に接続する第1の金属層と、この第1の金属層の少なくとも側面及びこの第1の金属層に覆われていない前記コンタクト層の表面を覆う第2の金属層とにより前記コンタクト層に接続する電極を構成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (27)
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