近視野光発生素子、近視野光記録装置、および近視野光顕微鏡

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂上正明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002092276
Publication number (International publication number)：2003004622
Application date： Mar. 28, 2002
Publication date： Jan. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】微小開口型の近視野光発生素子、近視野光記録装置、および近視野光顕微鏡において、近視野光強度と解像度の両方を向上させること。【解決手段】入射光偏光を制御あるいは保存して微小開口206に入射させ、さらに、微小開口206の輪郭のうち一ヶ所が、入射光の偏光方向と略直交していることを特徴とする構造および配置にする。

Claim (excerpt)：

入射光の波長以下の大きさを持つ光学的微小開口を有し、前記微小開口に、前記入射光を照射することによって、近視野光を発生させる近視野光発生素子において、前記微小開口の輪郭のうち一ヶ所が、前記入射光の偏光方向と略直交していることを特徴とする近視野光発生素子。

IPC (3)：

G01N 13/14 , G01N 13/10 , G11B 7/135

FI (4)：

G01N 13/14 A , G01N 13/14 B , G01N 13/10 G , G11B 7/135 A

F-Term (20)：

5D119AA02 , 5D119AA11 , 5D119AA22 , 5D119AA38 , 5D119AA43 , 5D119BA01 , 5D119BB04 , 5D119BB10 , 5D119CA06 , 5D119EC35 , 5D119FA02 , 5D119JA34 , 5D119JA36 , 5D119JA43 , 5D119JA45 , 5D119JA46 , 5D119JA64 , 5D119MA05 , 5D119MA06 , 5D119NA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの加工方法および光記録再生装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-066489 Applicant：株式会社日立製作所
半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システム
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-133416 Applicant：キヤノン株式会社
光ファイバプローブ、その製造方法及び薄膜形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-262923 Applicant：財団法人神奈川科学技術アカデミー

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