半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システム

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：加藤一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999133416
Publication number (International publication number)：2000323790
Application date： May. 14, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】高効率で、アレイ化可能で、作製の容易な半導体近接場光源、その製造方法、及びこれを用いた近接場光学システムである。【解決手段】半導体近接場光源は、化合物半導体基板11表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を1面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造12を有する。三角錐構造の頂点近傍に面発光レーザ12の発振波長オーダ以下の微小開口13が形成され、面発光レーザ12の発振光が微小開口13に導かれて近接場光を発生する。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板表面の正三角形の基板露出面上に、その露出面を1面として有する三角錐構造の化合物半導体層が積層され、該三角錐構造が、層厚方向に積層された一対の半導体多層膜反射鏡及び活性層を少なくとも含む面発光レーザ構造を有し、該三角錐構造の頂点近傍に該面発光レーザの発振波長オーダ以下の微小開口が形成され、該面発光レーザの発振光が該微小開口に導かれて近接場光を発生することを特徴とする半導体近接場光源。

IPC (3)：

H01S 5/183 , G02B 21/06 , H01L 21/027

FI (3)：

H01S 3/18 652 , G02B 21/06 , H01L 21/30 515 B

F-Term (18)：

2H052AA00 , 2H052AA07 , 2H052AC33 , 2H052AC34 , 5F046AA02 , 5F046AA10 , 5F046DA27 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073AB05 , 5F073AB16 , 5F073BA09 , 5F073CA04 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073DA05 , 5F073DA27 , 5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

レーザ光源を備えた近視野光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-234576 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
特開平4-216691
半導体量子箱装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-141808 Applicant：富士通株式会社

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