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J-GLOBAL ID：200903035818400792

窒化物半導体発光素子

Inventor： 豊田 達憲 ,  丸岡 義明
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996010507
Publication number (International publication number)：1997205224
Application date： Jan. 25, 1996
Publication date： Aug. 05, 1997
Summary：

【要約】【目的】 発光素子端面における、n層とp層、およびn層とp電極との界面の短絡を防止し、さらに発光素子端面からの発光の光学特性のばらつきをなくして、信頼性の向上した窒化物半導体発光素子を提供する。【構成】 絶縁性基板と、負電極が形成されるn型窒化物半導体層と、正電極が形成されるp型窒化物半導体層とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基板の表面、前記n型窒化物半導体層の表面、及び前記p型窒化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形成されている。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板と、負電極が形成されるn型窒化物半導体層と、正電極が形成されるp型窒化物半導体層とが同一面側に露出されており、更に前記絶縁性基板の表面、前記n型窒化物半導体層の表面、及び前記p型窒化物半導体層の表面には、連続した絶縁性被膜が形成されていることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-172042   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開昭56-079482
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-185340   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234685   Applicant：日亜化学工業株式会社