半導体結晶とその成長方法及び光半導体素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：高橋敬四郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001133897
Publication number (International publication number)：2002326895
Application date： May. 01, 2001
Publication date： Nov. 12, 2002
Summary：

【要約】【課題】光学的特性に優れたZnO系結晶を提供する。【解決手段】基板上にII-VI族の半導体結晶を成長させる方法であって、(a)基板表面に所定の前処理を行う工程と、(b)前記基板の表面上にII-VI族の半導体結晶をII族原子の極性面で成長する工程とを含む。

Claim (excerpt)：

基板上にII-VI族の半導体結晶を成長させる方法であって、(a)基板表面に所定の前処理を行う工程と、(b)前記基板の表面上にII-VI族の半導体結晶をII族原子の極性面で成長する工程とを含む半導体結晶の成長方法。

IPC (4)：

C30B 29/16 , H01L 21/365 , H01L 33/00 , H01S 5/327

FI (4)：

C30B 29/16 , H01L 21/365 , H01L 33/00 D , H01S 5/327

F-Term (34)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BB07 , 4G077DA05 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EE01 , 5F041AA40 , 5F041AA43 , 5F041CA04 , 5F041CA05 , 5F041CA41 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F041CA73 , 5F045AA04 , 5F045AB22 , 5F045AC11 , 5F045AC15 , 5F045AD10 , 5F045AD12 , 5F045AF02 , 5F045AF09 , 5F045AF13 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045EB02 , 5F045HA06 , 5F073AA74 , 5F073CA22 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA16

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

II-VI族化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326440 Applicant：ソニー株式会社

Cited by examiner (1)

II-VI族化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-326440 Applicant：ソニー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

Cited by examiner (3)

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