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J-GLOBAL ID：200903036322278152

GaN系半導体素子の製造方法及びGaN系半導体素子

Inventor：
村山 雅洋

About 村山 雅洋

, 
中川 大輔

About 中川 大輔


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (4)： 三好 秀和 ,  寺山 啓進 ,  三好 広之 ,  伊藤 市太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006077367
Publication number (International publication number)：2007258248
Application date： Mar. 20, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：
【課題】良好なオーミックコンタクトを形成しつつ、容易に製造することが可能なGaN系半導体素子の製造方法及びGaN系半導体素子を提供する。【解決手段】GaN系半導体発光素子1は、n型のGaN基板2上に、n型半導体層3、活性層4、p型半導体層5が順次積層されている。p型半導体層5は、p型電子バリア層21、p型ガイド層22、p型超格子クラッド層23、p型コンタクト層24が順次積層されている。p型コンタクト層24は、p側電極6と接続される約100Åの接続層25を含む約500Åの厚みのp型GaN系半導体層からなる。接続層25以外のp型コンタクト層24は、水素ガスをキャリアガスとして成長させ、接続層25は、キャリアガスのみを不活性ガスである窒素ガスに切り換えて成長させている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属製のp側電極と接続されるp型コンタクト層がp型GaN系半導体層からなる半導体素子の製造方法において、 最初は水素ガスを含むキャリアガスによってp型GaN系半導体層の一部を成長させた後、キャリアガスのみを不活性ガスからなるキャリアガスに切り換えてp側電極との接続層を構成する残りのp型GaN系半導体層を成長させることによってp型コンタクト層を形成することを特徴とするGaN系半導体素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205
F-Term (17)：
5F041AA24 ,  5F041AA42 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA99 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045BB04 ,  5F045DA52 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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