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J-GLOBAL ID：200903016122657999

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor：
西島 和樹

About 西島 和樹

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瀧 哲也

About 瀧 哲也

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牛田 泰久

About 牛田 泰久

, 
千田 昌伸

About 千田 昌伸


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003315376
Publication number (International publication number)：2005085932
Application date： Sep. 08, 2003
Publication date： Mar. 31, 2005
Summary：
【課題】主要な半導体層の結晶性を劣化させずに、発光ダイオードの外部量子効率(光取り出し率)を効果的に向上させること。【解決手段】p型クラッド層6の上には、Mgドープによるキャリア濃度5×1019/cm3 のp型GaNから成る膜厚約120nmのp型コンタクト層7が形成されている。このp型コンタクト層7の上面には凹凸形状が故意に形成されている。このp型コンタクト層7は、基板1の温度を870°Cに降温し、N2 を10リットル/分、NH3 を10リットル/分、TMGを100μmol /分、CP2 Mgを60μmol /分で供給して形成した。この結晶成長条件によれば、縦方向の成長速度が速くなり、表面が自然に凹凸形状に結晶成長する。このため、発光ダイオードの半導体結晶の結晶性を損なうことなく、容易に効率よく半導体層の最上層の表面に凹凸形状を形成することができる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
III族窒化物系化合物半導体の結晶成長によって生成される半導体層を複数積層することにより形成される発光ダイオードの製造方法であって、 少なくともp型半導体層の一部の層Aの原料ガスを運ぶキャリアガスとして、希ガス(He,Ne,Ar,Kr,Xe,Rn)又は窒素ガス(N2 )を用いる ことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
IPC (3)：
H01L33/00 ,  C23C16/30 ,  H01L21/205
FI (3)：
H01L33/00 C ,  C23C16/30 ,  H01L21/205
F-Term (30)：
4K030AA11 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12 ,  5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB36 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AC18 ,  5F045AC19 ,  5F045AD12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (9)
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