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J-GLOBAL ID：200903035474565398

半導体装置の製造方法

Inventor：
上田 哲三

About 上田 哲三


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002324991
Publication number (International publication number)：2003218052
Application date： Nov. 08, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 活性層を劣化させることなく窒素を含むp型III-V 族化合物半導体層を低抵抗化できる半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】 サファイア基板1上に、組成が(Alx Ga1-x )y In1-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)で表されるp型InGaAlN層2,InGaAlN活性層3及びn型InGaAlN層4を形成する。as-grownの状態では、p型InGaAlN層2中においてMgが水素原子と結合している。次に、窒素雰囲気下で、サファイア基板1の裏面からレーザを照射する。弱いレーザの照射により、p型InGaAlN層2の水素離脱による低抵抗化を行なう。その際、積層部10中のドーパントの拡散を抑制して、ドーパントプロファイルの急峻性を維持することができる。その後、強いレーザの照射によって、サファイア基板1を積層部10から分離させることもできる。
Claim (excerpt)：
単結晶基板からのエピタキシャル成長により形成された半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、上記単結晶基板を覆うように、p型不純物がドープされた窒素を含むIII-V 族化合物からなる第1の半導体層と、n型不純物がドープされた窒素を含むIII-V族化合物からなるn型の第2の半導体層とを少なくとも有する積層膜を形成する工程(a)と、光を上記第1の半導体層に照射して、上記第1の半導体層中のp型不純物を活性化する工程(b)とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (5)：
H01L 21/268 E ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
F-Term (20)：
5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F052AA02 ,  5F052BA15 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA04 ,  5F052DB01 ,  5F052EA11 ,  5F052JA05 ,  5F052JA07 ,  5F052KB09 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 半導体素子製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-309705   Applicant：パイオニア株式会社
  • 半導体装置及びその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-354655   Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
Cited by examiner (7)
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