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J-GLOBAL ID：200903036345611797

抵抗変化型不揮発性メモリ素子及び不揮発性半導体記憶装置

Inventor： 荻本 泰史 ,  玉井 幸夫 ,  澤 彰仁
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 政木 良文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006206677
Publication number (International publication number)：2008034641
Application date： Jul. 28, 2006
Publication date： Feb. 14, 2008
Summary：

【課題】 高い信頼性を有する抵抗変化型不揮発メモリ素子を提供する。【解決手段】 電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、基板1上に形成された電極2と、電極2上に形成された酸化物pn接合を少なくとも備えてなる。酸化物pn接合を形成する酸化物3,4がペロブスカイト型酸化物薄膜からなり、更に好ましくは、電極2がペロブスカイト型酸化物薄膜からなる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

電気的ストレスの印加によって電気抵抗が変化することで情報を記憶可能な抵抗変化型不揮発性メモリ素子であって、 基板上に形成された電極と、前記電極上に形成された酸化物pn接合を少なくとも備えてなることを特徴とする抵抗変化型不揮発性メモリ素子。

IPC (2)：

H01L 27/10 ,  G11C 13/00

FI (2)：

H01L27/10 451 ,  G11C13/00 A

F-Term (9)：

5F083FZ10 ,  5F083GA21 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA45 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 米国特許第6204139号明細書
  

Cited by examiner (3)

• 抵抗変化型不揮発性メモリおよびその製造方法ならびに抵抗変化層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-355896   Applicant：ソニー株式会社
• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-000523   Applicant：シャープ株式会社
• 不揮発性メモリ素子及びそれを備えるメモリアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-052433   Applicant：三星電子株式会社