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J-GLOBAL ID：200903036351576588
ナノギャップ電極の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005046349
Publication number (International publication number)：2006231432
Application date： Feb. 23, 2005
Publication date： Sep. 07, 2006
Summary：
【課題】工程数の少ない手法でギャップ間距離が小さく、さらに様々な電極形状が調製可能であるナノギャップ電極の製造方法を得る。【解決手段】先端が90度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。基板上に10〜100μmのサイズのポリマー又はセラミックスビーズを均一に展開し、この上に電極材料をPVD法又はCVD法により被覆し、このビーズを除去することにより基板上に三角錐の電極材料を残存させ、この三角錐の電極材料にレーザー光を照射し、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成し、該微小電極と残余の電極本体との間にナノスケールのギャップを形成するナノギャップ電極の製造方法。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
先端が90度又は鋭角である角を備えた電極材料を基板上に形成し、この電極材料にレーザー光を照射して、鋭角の角の一部を切り離して微小電極を形成すると共に、該微小電極と残余の電極本体との間に、ナノスケールのギャップを形成することを特徴とするナノギャップ電極の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
B82B3/00
, H01L29/06 601N
Cited by applicant (1)
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ナノギャップ電極の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2003-036568
Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
Cited by examiner (5)
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量子構造の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-328761
Applicant：ソニー株式会社
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マスク及びその形成方法及びこれを用いたエッチング方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-223675
Applicant：ソニー株式会社
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特許第2963376号
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特許第2963377号
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強誘電性液晶素子及び該素子の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平4-351573
Applicant：キヤノン株式会社
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Article cited by the Patent：
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