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J-GLOBAL ID：200903036365810036

光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置

Inventor： 奥田 悟志 ,  上西 伸二郎 ,  駒田 成哉 ,  服部 邦晴
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998073621
Publication number (International publication number)：1999269351
Application date： Mar. 23, 1998
Publication date： Oct. 05, 1999
Summary：

【要約】【課題】 内部応力が小さく、しかも、耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂組成物およびそれを用いて光半導体素子を封止して得られる光半導体装置を提供する。【解決手段】 下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)チオール。。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物。(A)エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)チオール。

IPC (4)：

C08L 63/00 ,  C08K 5/37 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08L 63/00 C ,  C08K 5/37 ,  H01L 23/30 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

• 光透過性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214675   Applicant：信越化学工業株式会社
• エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-146335   Applicant：株式会社東芝
• エポキシ樹脂組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-290343   Applicant：旭チバ株式会社
• 半導体封止用低圧トランスファ成形材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-016738   Applicant：新日鐵化学株式会社
• オプトデバイスの樹脂封止方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-302977   Applicant：昭和高分子株式会社, シャープ株式会社
• 特開平2-185518
  
• 特開平2-184663
  
• 特開昭51-017299
  

Cited by examiner (2)

• 光透過性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214675   Applicant：信越化学工業株式会社
• エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-146335   Applicant：株式会社東芝