Pat

J-GLOBAL ID：200903036398687531

磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor： 岩田 佳久
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (6)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003183104
Publication number (International publication number)：2005018916
Application date： Jun. 26, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】トンネル絶縁膜の厚さによらず、最適なレファレンス電圧を得る。【解決手段】メモリセルMC及びレファレンスセルRCは、MTJ素子から構成される。レファレンスセルRCは、メモリセルMCのデータを判断する基準を作る。レファレンスセルRCに対しては、それぞれ、独立に、データの書き込み/読み出しが可能である。レファレンスセルRCは、第1及び第2状態をとることができ、第1状態のレファレンスセルの数と第2状態のレファレンスセルの数は、異なっていてもよい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

磁気抵抗効果素子から構成されるメモリセルと、前記メモリセルのデータを判断する基準を作るための複数のレファレンスセルとを具備し、前記複数のレファレンスセルに対しては、それぞれ、独立に、データの書き込み/読み出しが可能であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。

IPC (3)：

G11C11/15 ,  G01R31/28 ,  G11C29/00

FI (8)：

G11C11/15 150 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 190 ,  G11C11/15 195 ,  G11C29/00 603X ,  G11C29/00 675B ,  G01R31/28 V ,  G01R31/28 B

F-Term (10)：

2G132AA08 ,  2G132AB01 ,  2G132AC03 ,  2G132AG09 ,  2G132AK07 ,  5L106AA05 ,  5L106CC05 ,  5L106DD12 ,  5L106GG05 ,  5L106GG07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 強誘電体メモリの基準電圧発生回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-196470   Applicant：シャープ株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-341365   Applicant：株式会社日立製作所
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-274843   Applicant：日本電気株式会社