半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001341365
Publication number (International publication number)：2002222589
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】磁気抵抗の変化を利用して情報を記憶するメモリセルの読み出し動作に用いる参照信号発生方法、およびダミーセルを提供する。【解決手段】複数のワード線WR0〜WR7と複数の第1データ線D0〜D7の交点に設けられ、”1”又は”0”の何れかを記憶するための複数の第1メモリセルMCと、複数のワード線WR0〜WR7と第1ダミーデータ線DD0の交点に設けられ、”1”を記憶するための複数の第1ダミーセルMCHと、前記複数のワード線WR0〜WR7と第2ダミーデータ線DD1の交点に設けられ、”0”を記憶するための複数の第2ダミーセルMCLとを具備する【効果】従来と比べて、高集積かつ信頼度の高い大容量MRAMを実現することができる。

Claim (excerpt)：

複数のワード線と複数の第1データ線の交点に設けられ、第1情報又は第2情報の何れかを記憶するための複数の第1メモリセルと、前記複数のワード線と第1ダミーデータ線の交点に設けられ、前記第1情報を記憶するための複数の第1ダミーセルと、前記複数のワード線と第2ダミーデータ線の交点に設けられ、前記第2情報を記憶するための複数の第2ダミーセルとを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , G11C 29/00 603

FI (4)：

G11C 11/14 Z , G11C 11/14 A , G11C 11/15 , G11C 29/00 603 H

F-Term (7)：

5L106AA09 , 5L106CC04 , 5L106CC13 , 5L106CC17 , 5L106CC21 , 5L106CC32 , 5L106GG05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-067067 Applicant：シャープ株式会社
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-020457 Applicant：ヤマハ株式会社
特開平3-263693

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