Pat
J-GLOBAL ID:200903036461255744
光センサー素子、光センサー装置及びその駆動方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002085395
Publication number (International publication number):2003282854
Application date: Mar. 26, 2002
Publication date: Oct. 03, 2003
Summary:
【要約】【課題】 簡便な製造方法で安価な、高感度で、マトリクス制御が容易で、新規な光センサー素子及び装置を提供する。【解決手段】 支持体上に、ゲート電極と、ゲート電極に対して絶縁層を介して位置し、有機半導体層にて連結されるソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極及びドレイン電極側に絶縁層と対向して位置する電荷発生層とを有する光センサー素子。
Claim (excerpt):
支持体上に、ゲート電極と、ゲート電極に対して絶縁層を介して位置し、有機半導体層にて連結されるソース電極及びドレイン電極と、該ソース電極及びドレイン電極側に絶縁層と対向して位置する電荷発生層とを有することを特徴とする光センサー素子。
IPC (4):
H01L 27/146
, G01T 1/20
, H01L 31/08
, H01L 51/10
FI (3):
G01T 1/20 E
, H01L 27/14 C
, H01L 31/08 T
F-Term (19):
2G088GG19
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA14
, 4M118CA15
, 4M118CA32
, 4M118CB11
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 5F088AA11
, 5F088AB11
, 5F088BA01
, 5F088BB03
, 5F088EA04
, 5F088EA08
, 5F088JA13
, 5F088LA05
, 5F088LA07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
特開平1-193640
-
フォトセンサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-107711
Applicant:カシオ計算機株式会社
-
特開平3-255669
-
薄膜光センサ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-036001
Applicant:株式会社日立製作所
-
光電変換半導体装置及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-225420
Applicant:セイコー電子工業株式会社
-
特開昭61-234650
-
画像検出器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-098723
Applicant:富士写真フイルム株式会社
Show all
Return to Previous Page