レーザ加工方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001277163
Publication number (International publication number)：2002192367
Application date： Sep. 12, 2001
Publication date： Jul. 10, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板の表面に溶融や切断予定ラインから外れた割れが生じることなく、基板を切断することができるレーザ加工方法を提供すること。【解決手段】本発明に係るレーザ加工方法は、表面3に回路部2が形成されかつ裏面21にダイシングフィルム4が貼り付けられた基板1の内部に集光点Pを合わせて、ダイシングフィルム4に対して透過性を有するレーザ光Lをダイシングフィルム4を介して基板1の裏面21から入射させ、基板1の切断予定ライン5に沿って基板1の内部に多光子吸収による溶融処理領域13を形成する工程を備えることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。

IPC (4)：

B23K 26/00 320 , B28D 5/00 , H01L 21/301 , B23K101:40

FI (4)：

B23K 26/00 320 E , B28D 5/00 Z , B23K101:40 , H01L 21/78 B

F-Term (15)：

3C069AA01 , 3C069BA08 , 3C069BB04 , 3C069CA05 , 3C069CA11 , 3C069EA01 , 3C069EA04 , 3C069EA05 , 4E068AE00 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CA11 , 4E068DA10 , 4E068DA11 , 4E068DB13

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

窒化物半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-328665 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体デバイスのチップ分離方法及び半導体デバイス固定用エキスパンドシート
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-065994 Applicant：三菱電機株式会社
高強度超短パルスレーザー加工方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-023880 Applicant：理化学研究所

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