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J-GLOBAL ID：200903036510620070

p型II-VI族化合物半導体結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置

Inventor： 佐野 道宏 ,  八百 隆文
Applicant, Patent owner： スタンレー電気株式会社 ,  八百 隆文
Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999142059
Publication number (International publication number)：2000332296
Application date： May. 21, 1999
Publication date： Nov. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 p型のII-VI族化合物半導体結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 ZnO基板100上に、所望濃度までは不純物ドーピングされていないZnO層101a〜101zと、p型不純物であるNが所望濃度以上にドーピングされたZnTe層103a〜103yとを交互に複数層積層する工程を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に、所望濃度までは不純物ドーピングされていないZnO層と、p型不純物であるNが所望濃度以上にドーピングされたZnTe層とを交互に複数層積層する工程を含むp型II-VI族化合物半導体結晶の成長方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363

FI (3)：

H01L 33/00 D ,  C30B 29/48 ,  H01L 21/363

F-Term (25)：

4G077AA03 ,  4G077BB07 ,  4G077BE35 ,  4G077DA05 ,  4G077EB01 ,  4G077EB03 ,  4G077ED06 ,  4G077EF04 ,  4G077HA06 ,  5F041AA31 ,  5F041CA05 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F103AA04 ,  5F103DD30 ,  5F103HH04 ,  5F103JJ01 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL16 ,  5F103NN03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-036363   Applicant：株式会社東芝
• ヘテロ超格子pn接合
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-272606   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション