半導体記憶装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997069491
Publication number (International publication number)：1998106275
Application date： Mar. 24, 1997
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】複数のブロック単位で書き込み禁止/許可の設定が可能な、書き換え保護のかかったROM部とRAM部とが自由に設定でき、システムの暴走等による誤設定が防止できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】半導体記憶装置は、複数のブロックに分割され、リードサイクルとライトサイクルのアドレスアクセス時間が互いに実質的に同一である不揮発性メモリ素子を有するメモリアレイと、前記複数のブロック毎に書き込み禁止/許可情報を格納する複数の記憶素子と、前記記憶素子への書き込み禁止/許可情報の設定を行う設定回路とを具備し、前記設定回路は、所定の複数のリードサイクル後のライトサイクルで書き込み禁止情報を前記記憶素子に設定する。

Claim (excerpt)：

複数のブロックに分割され、リードサイクルとライトサイクルのアドレスアクセス時間が互いに実質的に同一である不揮発性メモリ素子を有するメモリアレイと、前記複数のブロック毎に書き込み禁止/許可情報を格納する複数の記憶素子と、前記記憶素子への書き込み禁止/許可情報の設定を行う設定手段とを具備する半導体記憶装置であって、前記設定手段は、所定の複数のリードサイクル後のライトサイクルで書き込み禁止情報を前記記憶素子に設定することを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-106484 Applicant：株式会社日立製作所
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-282007 Applicant：株式会社日立製作所
不揮発性半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-262648 Applicant：シャープ株式会社

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Cited by examiner (6)

半導体記憶装置
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不揮発性半導体記憶装置
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