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J-GLOBAL ID：200903036525734889

積層構造体及びその製造方法

Inventor：
島岡 五朗

About 島岡 五朗

, 
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997331615
Publication number (International publication number)：1999162849
Application date： Dec. 02, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：
【要約】【課題】 基板結晶を含めて全体に亘り良好な格子整合性をなす立方晶の積層構造体のIII -V族化合物半導体成長層に対し、成膜後に窒素以外の第V族構成元素を窒素に置換する技術を施し、III -V族化合物半導体成長層からなる積層構造体に元来、備わっている良好な格子整合性を損なうことなく、III 族窒化物半導体層からなる立方晶積層構造体を得る。【解決手段】 立方晶の単結晶上に、Ba Alb Gac Ind Px Asy (0≦a、b、c、d≦1、a+b+c+d=1、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)を主体とする成長層を形成し、該成長層のリン(P)或いは砒素(As)を窒素(N)で置換し、立方晶のBa Alb Gac Ind Nz Px Asy (0≦x<1、0≦y<1、0 Claim (excerpt)：
立方晶の単結晶上に、Ba Alb Gac Ind Px Asy (0≦a、b、c、d≦1、a+b+c+d=1、0≦x≦1、0≦y≦1、x+y=1)を主体とする成長層を形成し、該成長層のリン(P)或いは砒素(As)を窒素(N)で置換して形成した立方晶のBa Alb Gac Ind Nz Px Asy (0≦x<1、0≦y<1、0 IPC (6)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (6)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/80 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (10)
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Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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