化合物半導体の結晶成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大垣孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997054821
Publication number (International publication number)：1998251100
Application date： Mar. 10, 1997
Publication date： Sep. 22, 1998
Summary：

【要約】【課題】劈開が容易で、良質な立方晶系のGaNの単結晶を成長させる方法を提供すること。【解決手段】化合物半導体、例えばGaNの立方晶系の単結晶17を成長させるにあたり、AlAsの結晶からなる層13の一部を窒素と反応させることによりAlN化して、このAlN膜15上にGaNの結晶17をエピタキシャル成長させる。

Claim (excerpt)：

化合物半導体の立方晶系の単結晶を成長させるにあたり、AlAsの結晶からなる層の一部を窒素と反応させることによりAlN化して、該AlN上に化合物半導体をエピタキシャル成長させることを特徴とする化合物半導体の結晶成長方法。

IPC (3)：

C30B 29/40 502 , H01L 21/20 , H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/40 502 B , H01L 21/20 , H01L 21/205

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (8)

特開平4-164895
III-V族化合物半導体結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-051203 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-292320 Applicant：松下電子工業株式会社

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