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J-GLOBAL ID：200903036544319523

半導体装置およびその製造方法

Inventor： ▲高▼藤 裕 ,  糸賀 隆志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (4)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  圓谷 徹 ,  金子 一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002280036
Publication number (International publication number)：2004119636
Application date： Sep. 25, 2002
Publication date： Apr. 15, 2004
Summary：

【課題】単結晶Si薄膜を有する特性の安定した大型かつ安価な基板であり、単結晶Si薄膜の接合強度および接合界面に働く応力にムラやバラツキのない半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板1上に堆積されたSiO2膜2上に、多結晶Si薄膜4と単結晶Si薄膜5とを形成する。絶縁基板1と単結晶Si薄膜5との間における規格化された線膨張の差は、概ね室温以上600°C以下の温度範囲において、約250ppm以下である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に多結晶Si薄膜と単結晶Si薄膜とがそれぞれ異なる領域に形成されている半導体装置であって、 上記絶縁基板と上記単結晶Si薄膜との規格化された線膨張の差は、概ね室温以上600°C以下の温度範囲において、約250ppm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L27/12 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

FI (6)：

H01L27/12 B ,  G02F1/1368 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627D ,  H01L29/78 627G

F-Term (80)：

2H092GA59 ,  2H092JA22 ,  2H092JA23 ,  2H092JA25 ,  2H092JA31 ,  2H092JA33 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092KA12 ,  2H092KA19 ,  2H092KB25 ,  2H092MA06 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA22 ,  2H092MA23 ,  2H092MA30 ,  2H092MA31 ,  2H092NA21 ,  2H092NA22 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052BA07 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB03 ,  5F052EA12 ,  5F052EA16 ,  5F052FA06 ,  5F052HA01 ,  5F052HA06 ,  5F052JA01 ,  5F052JA04 ,  5F052JA05 ,  5F052KB04 ,  5F110AA01 ,  5F110AA28 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN78 ,  5F110PP01 ,  5F110PP03 ,  5F110PP27 ,  5F110PP34 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 液晶表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-170753   Applicant：株式会社高度映像技術研究所
• 液晶パネル用基板及び液晶パネル並びにそれらの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-193198   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-023847   Applicant：キヤノン株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-337670   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-103224   Applicant：キヤノン株式会社