Pat

J-GLOBAL ID：200903036644492010

半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法

Inventor： 桝村 寿 ,  鈴木 清 ,  工藤 秀雄 ,  深見 輝明
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 石原 詔二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181130
Publication number (International publication number)：1997007987
Application date： Jun. 23, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】 ウェーハ裏面の低輝度化研磨処理を可能とし、センサーによるウェーハの表裏の検知が可能であって、発塵性を低下せしめることによって裏面のチッピングによる発塵を抑えてデバイスの歩留りを高めることができるようにした新規な半導体ウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法並びに従来にない裏面形状を有する新規な半導体ウェーハを提供する。【構成】半導体ウェーハ研磨用研磨剤が、シリカ含有研磨剤を主成分とし、ポリオレフィン系微粒子材料を添加してなることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

シリカ含有研磨剤を主成分とし、ポリオレフィン系微粒子材料を添加してなることを特徴とする半導体ウェーハ研磨用研磨剤。

IPC (4)：

H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550

FI (4)：

H01L 21/304 321 P ,  H01L 21/304 321 M ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体ウエーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-085808   Applicant：株式会社日立製作所
• ウエーハの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-064896   Applicant：信越半導体株式会社
• 非ミラー状シリコンウェハーおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-282698   Applicant：内藤電誠工業株式会社
• 特開昭61-054614