半導体装置およびその副ビット線選択方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999220063
Publication number (International publication number)：2001044394
Application date： Aug. 03, 1999
Publication date： Feb. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】データ側とリファレンス側との副ビット線を1本のZワード線で選択可能とし、スキュー、ノイズ、動作電流および面積の問題を解決することができる半導体装置およびその副ビット線選択方法を提供する。【解決手段】メモリモジュール、CPU、RAM、DMAC、PLL、タイマ、ポートなどから構成されるシングルチップマイクロコンピュータであって、メモリモジュールのメモリマット11は、階層ビット線構造により副ビット線Sb11,12,Sb21,22、Z-MOSトランジスタZM11,12,ZM21,22、Zワード線Z1,Z2などからなり、横方向に沿って配置されるZワード線Z1,Z2は左側と右側との間で交差して配置され、その交差セル21の部分は、Zワード線Z1が曲げられ、かつZワード線Z2が分割されて配置され、この分割されたZワード線Z2が第1層のメタル配線で接続されている。

Claim (excerpt)：

階層ビット線構造を持ち、副ビット線と、副ビット線選択MOSトランジスタと、副ビット線選択ワード線とを備え、差動センス時にデータ側とリファレンス側との副ビット線選択MOSトランジスタをオンさせ、データ側の副ビット線とリファレンス側の副ビット線とが1対1に対応する副ビット線選択回路を有し、前記副ビット線選択回路は、前記副ビット線選択ワード線をレイアウト的に交差させる交差セルを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 27/115 , G11C 16/06 , H01L 27/10 461 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 434 , H01L 27/10 461 , G11C 17/00 633 Z , G11C 17/00 634 A , G11C 17/00 634 Z , H01L 29/78 371

F-Term (24)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD03 , 5B025AD07 , 5B025AE06 , 5B025AE08 , 5F001AB02 , 5F001AD12 , 5F001AD41 , 5F001AD51 , 5F001AD52 , 5F083EP22 , 5F083ER22 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083GA12 , 5F083GA30 , 5F083LA00 , 5F083LA03 , 5F083LA10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083ZA13

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-359258 Applicant：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
半導体集積回路装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-257463 Applicant：株式会社日立製作所
双方向性共通ビット線をもつ一交点方式DRAM
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-058313 Applicant：ゴールドスターエレクトロンカンパニーリミテッド

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