半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005361181
Publication number (International publication number)：2007165665
Application date： Dec. 15, 2005
Publication date： Jun. 28, 2007
Summary：

【課題】ひずみSi技術を用いたpチャネル型電界効果トランジスタの浅い接合のソース・ドレインを形成する。【解決手段】pMIS1pのソース・ドレインを主として構成するp型拡散領域5cをp型不純物が導入されたp+-SiGe/p-SiGe:C/p--SiGeにより形成し、p+-SiGeに相対的に高濃度のp型不純物を導入し、p--SiGeに相対的に低濃度のp型不純物を導入する。p+-SiGeにはコンタクト抵抗を低減するために相対的に高濃度のp型不純物を導入する必要があるが、p-SiGe:Cによりその拡散が抑えられてp型拡散領域5cの深さを浅く維持する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の主面に形成されたpチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、前記pチャネル型電界効果トランジスタのソース・ドレインにSiGeを用いており、前記SiGeにp型不純物が導入され、前記SiGeの一部分に、前記半導体基板の深さ方向への前記p型不純物の拡散を防止するCを含むSiGeが形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/823 , H01L 27/092

FI (4)：

H01L29/78 301S , H01L29/78 618B , H01L27/08 321E , H01L27/08 321C

F-Term (100)：

5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA12 , 5F048BA16 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BC15 , 5F048BD00 , 5F048BE03 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F048DA27 , 5F048DA30 , 5F110AA30 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE32 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF35 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG17 , 5F110GG28 , 5F110GG32 , 5F110GG52 , 5F110HJ13 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL04 , 5F110NN03 , 5F110NN05 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN62 , 5F110QQ19 , 5F140AA00 , 5F140AA25 , 5F140AB03 , 5F140AC01 , 5F140AC28 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG09 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG28 , 5F140BG38 , 5F140BG53 , 5F140BH06 , 5F140BH07 , 5F140BH14 , 5F140BH25 , 5F140BH26 , 5F140BH27 , 5F140BH36 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK18 , 5F140BK22 , 5F140BK24 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CC09 , 5F140CC11 , 5F140CD02 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-241561 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-402801 Applicant：株式会社東芝
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-343975 Applicant：日本電気株式会社

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Cited by examiner (7)

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