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J-GLOBAL ID:200903036810318988
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
西川 惠清
, 森 厚夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002299505
Publication number (International publication number):2004134671
Application date: Oct. 11, 2002
Publication date: Apr. 30, 2004
Summary:
【課題】被処理物に対するアークの発生を抑えて被処理物の損傷を防止することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】誘電体1の表面に設けた電極2と、誘電体1を挟んで前記電極2と対向配置された他の電極3と、電極2、3間に電圧を印加することにより誘電体1の表面に沿面放電を発生させるための電源4とを備える。沿面放電が発生する箇所に対応する誘電体1の表面を放電面5として形成すると共に放電面5に対して略垂直方向にプラズマ生成用ガスを吹き出すためのガス吹き出し口6を放電面5に開口させて誘電体1に形成する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
誘電体の表面に設けた電極と、誘電体を挟んで前記電極と対向配置された他の電極と、電極間に電圧を印加することにより誘電体の表面に沿面放電を発生させるための電源とを備え、沿面放電が発生する箇所に対応する誘電体の表面を放電面として形成すると共に放電面に対して略垂直方向にプラズマ生成用ガスを吹き出すためのガス吹き出し口を放電面に開口させて誘電体に形成して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4):
H01L21/304
, B08B7/00
, H01L21/3065
, H05H1/24
FI (4):
H01L21/304 645C
, B08B7/00
, H05H1/24
, H01L21/302 101E
F-Term (28):
2H088FA17
, 2H088FA21
, 2H088FA24
, 2H088FA30
, 2H088MA20
, 3B116AA02
, 3B116AA03
, 3B116AA08
, 3B116AB01
, 3B116AB02
, 3B116BC00
, 3B116BC01
, 5F004AA06
, 5F004AA14
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BD01
, 5F004BD03
, 5F004DA00
, 5F004DA01
, 5F004DA18
, 5F004DA21
, 5F004DA23
, 5F004DA24
, 5F004DA25
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB23
Patent cited by the Patent: