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J-GLOBAL ID:200903046530355603
プラズマ洗浄装置及びプラズマ洗浄方法並びに半田付けシステム及び半田付け方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
西川 惠清 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000193414
Publication number (International publication number):2002001253
Application date: Jun. 27, 2000
Publication date: Jan. 08, 2002
Summary:
【要約】【課題】 プラズマ洗浄時の半導体素子に加わるチャージアップダメージを低減することができ、しかも、表面に金属部分が露出している被処理物に対してアーク放電が発生することがなく、被処理物にアーク放電による損傷を与えないようにすることができるプラズマ洗浄装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】 絶縁材料で形成される反応容器7と、反応容器7内に交流又はパルス状の電圧を印加するための電極9、10とを具備して構成される。反応容器7内にプラズマ生成用ガス8を供給すると共に反応容器7内に交流又はパルス状の電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下で反応容器7内に放電を生じさせてプラズマ13を生成する。反応容器7に設けた吹き出し口12から被処理物15に向かって上記プラズマ13をジェット状に吹き出すプラズマ洗浄装置Aに関する。プラズマ生成用ガス8としてアルゴンと水素の混合ガスを用いる。
Claim (excerpt):
絶縁材料で形成される反応容器と、反応容器内に交流又はパルス状の電圧を印加するための電極とを具備して構成され、反応容器内にプラズマ生成用ガスを供給すると共に反応容器内に交流又はパルス状の電圧を印加することにより大気圧近傍の圧力下で反応容器内に放電を生じさせてプラズマを生成し、反応容器に設けた吹き出し口から被処理物に向かって上記プラズマをジェット状に吹き出すプラズマ洗浄装置において、プラズマ生成用ガスとしてアルゴンと水素の混合ガスを用いて成ることを特徴とするプラズマ洗浄装置。
IPC (8):
B08B 7/00
, B08B 5/00
, B23K 1/20
, H01L 21/56
, H01L 23/28
, H05H 1/24
, H05H 1/26
, H05K 3/34 507
FI (9):
B08B 7/00
, B08B 5/00 Z
, B23K 1/20 H
, B23K 1/20 K
, H01L 21/56 R
, H01L 23/28 A
, H05H 1/24
, H05H 1/26
, H05K 3/34 507 D
F-Term (13):
3B116AA46
, 3B116AB01
, 3B116BC01
, 3B116CC05
, 4M109AA01
, 4M109BA01
, 4M109FA10
, 5E319CC33
, 5E319CD01
, 5E319GG03
, 5F061AA01
, 5F061BA01
, 5F061DD13
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-344735
Applicant:松下電工株式会社
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はんだ付け用処理方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-119332
Applicant:株式会社タムラ製作所, 大同特殊鋼株式会社
-
特開平4-160162
-
はんだバンプの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-096978
Applicant:ソニー株式会社
-
表面清浄化法および薄膜形成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-119726
Applicant:日本電信電話株式会社
-
特開平4-313373
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