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J-GLOBAL ID：200903036883048245
Taスパッタターゲットとその製造方法及び組立体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
倉内 基弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997261108
Publication number (International publication number)：1999080942
Application date： Sep. 10, 1997
Publication date： Mar. 26, 1999
Summary：
【要約】【課題】 パーティクルが少なく、抵抗値のばらつきの少ないTa膜及びTaNx膜を得ることができる安価なTaターゲットの開発。【解決手段】 平均結晶粒径が0.1-300 μmでかつそのばらつきが±20%以下、酸素濃度が50ppm 以下、Na≦0.1ppm、K ≦0.1ppm、U ≦1ppb、Th≦1ppb、Fe≦5ppm、Cr≦5ppm、Ni≦5ppm、高融点金属元素の含有量の合計が50ppm 以下であるTaスパッタターゲット。好ましくは、{110 }、{200 }及び{211 }の3つの面の強度比の総和が55%以上で、かつそのばらつきが±20%以下、水素濃度が20ppm 以下、スパッタ表面部分の平均粗さ(Ra)が0.01-5μm、スパッタ表面部分の酸化物層の厚さが200nm 以下、ターゲットのスパッタされた物質が堆積する部分を粗化面とする。
Claim (excerpt)：
(イ)平均結晶粒径が0.1〜300μmでかつ平均結晶粒径の場所によるばらつきが±20%以下であり、(ロ)酸素濃度が50ppm以下であり、そして(ハ)不純物濃度について、Na≦0.1ppm、K≦0.1ppm、U≦1ppb、Th≦1ppb、Fe≦5ppm、Cr≦5ppm、Ni≦5ppm、そして高融点金属元素(Hf、Nb、Mo、W、Ti及びZr)の含有量の合計が50ppm以下であることを特徴とするTaスパッタターゲット。
IPC (2)：
FI (2)：
C23C 14/34 A
, C23C 14/14 Z
Cited by examiner (5)
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