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J-GLOBAL ID：200903036896342878

ナノ結晶成長方法および装置

Inventor：
舘野 功太

About 舘野 功太


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 森 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004229612
Publication number (International publication number)：2006043830
Application date： Aug. 05, 2004
Publication date： Feb. 16, 2006
Summary：
【課題】 成長点の位置制御を安定して行いつつ、格子定数の異なる基材上にナノレベルの結晶成長を行わせる。【解決手段】 サンプルS上に金属針23aの先端を配置した後、金属針23aの先端を昇温させることにより、サンプルSと金属との合金融液を生成し、合金融液が生成され状態で、気相状の有機金属化合物を合金融液に接触させることにより、触媒反応により合金融液中に元素の形で取り込ませ、合金融液中で有機金属化合物の構成元素の過飽和現象を生じさせて、合金融液とサンプルSとの界面に過剰の元素を析出させることで、ワイヤ状の単結晶を成長させる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所定の真空度において、先端がナノサイズの金属の針またはナノサイズの金属粒子が先端に付いた針を基材に接触させる工程と、 前記針を加熱しながら結晶成長の原料となるガスを前記針の周囲に供給することにより、前記基材上に結晶成長させる工程と、 前記結晶成長させながら、前記針と前記基材との位置関係を変化させる工程とを備えることを特徴とするナノ結晶成長方法。
IPC (7)：
B82B 3/00 ,  C30B 25/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 ,  H01L 31/026
FI (7)：
B82B3/00 ,  C30B25/00 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 601N ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 ,  H01L31/08 L
F-Term (19)：
4G077AA10 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB06 ,  5F041CA08 ,  5F041CA34 ,  5F045AA04 ,  5F045AF03 ,  5F045CA09 ,  5F045CA13 ,  5F045DA56 ,  5F088AA03 ,  5F088AB07 ,  5F173AA21 ,  5F173AB90 ,  5F173AF08 ,  5F173AF12 ,  5F173AF15 ,  5F173AH12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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