カンチレバーおよびカーボンナノワイヤのチップ上において、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブの成長

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (5)：三枝英二 , 舘泰光 , 眞下晋一 , 松本公雄 , 立花顕治
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2003530605
Publication number (International publication number)：2005503273
Application date： Jun. 03, 2002
Publication date： Feb. 03, 2005
Summary：

ナノワイヤ、カンチレバー、導電性のマイクロ/ナノメートルの構造体、ウェハなどのチップの上に、触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブ、ナノファイバ、および他のナノ構造体を成長させる方法について記述する。この方法は、走査型プローブ顕微鏡(AFM、EFMなど)の性能を大幅に向上させることができる、カーボンナノチューブを固定したカンチレバーの製造に用いることができる。本発明は、カーボンナノチューブ/ファイバを用いたマイクロおよび/またはナノ製造の他の多くの工程にも用いることができる。本発明の重要な構成要素には、(1)金属触媒の適切な選択、ならびに正確に基板のチップの位置での望ましい特定の触媒のプログラマブルなパルス式電解析出、(2)触媒を堆積させたチップでの触媒によって引き起こされるカーボンナノチューブ/ファイバの成長、(3)チップの形および成長条件の操作によるカーボンナノチューブ/ファイバの成長パターンの制御、(4)大量生産のための自動化が含まれる。

Claim (excerpt)：

a.基板を提供するステップと、 b.前記基板上に触媒ドットを堆積させるステップと、 c.前記触媒ドット上にカーボンナノ構造体を成長させるステップとを含むカーボンナノ構造体を成長させる方法。

IPC (3)：

B82B3/00 , B82B1/00 , C01B31/02

FI (3)：

B82B3/00 , B82B1/00 , C01B31/02 101F

F-Term (3)：

4G146AA11 , 4G146BA12 , 4G146BA48

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

超伝導放射線検出器とその製造方法とそれを用いた装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-093586 Applicant：セイコーインスツルメンツ株式会社
カーボンナノチューブの成長方法並びにそれを用いた電子銃及びプローブの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-075981 Applicant：株式会社ケイアンドティ
カーボン・ナノチューブ作成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-379334 Applicant：株式会社東北テクノアーチ

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

"単層カーボンナノチューブのナノエレクトロニクス素子への応用"
"Direct Growth of Single-Walled Carbon Nanotube Scanning Probe Microscopy Tips"
"Patterned growth of individual and multiple vertically aligned carbon nanofibers"

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