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J-GLOBAL ID：200903036910613901

混合ガスプラズマ制御装置およびその方法

Inventor： 浜 垣 学 ,  原 民 夫
Applicant, Patent owner： 理化学研究所
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081622
Publication number (International publication number)：1999283790
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 混合ガスプラズマ中のイオン密度比を精密に制御することができる混合ガスプラズマ制御装置およびその方法を提供する。【解決手段】 まず、コンピュータシステム1の電離断面積算出部2により、混合ガスに含まれるガス種と電子ビームの電子エネルギー値とに基づいて混合ガスに含まれるアルゴンガスおよびヘリウムガスの電離断面積を算出する。次に、ガス混合比決定部3により、電離断面積算出部2により算出されたアルゴンガスおよびヘリウムガスの電離断面積に基づいて制御目標となる混合ガスプラズマ中のイオン密度比に対応するガス混合比を決定する。そして、このようにしてガス混合比決定部3により決定されたガス混合比を流量調節器4に入力し、流量調節器4により、このガス混合比に基づいてアルゴンガスおよびヘリウムガスの流量を調節する。

Claim (excerpt)：

混合ガスを電子ビームで励起して発生させた混合ガスプラズマ中のイオン密度比を制御する混合ガスプラズマ制御装置において、前記混合ガスに含まれるガス種と前記電子ビームの電子エネルギー値とに基づいて前記混合ガスに含まれる各種類のガスの電離断面積を算出する電離断面積算出手段と、前記電離断面積算出手段により算出された各種類のガスの電離断面積に基づいて制御目標となる混合ガスプラズマ中のイオン密度比に対応するガス混合比を決定するガス混合比決定手段とを備えたことを特徴とする混合ガスプラズマ制御装置。

IPC (5)：

H05H 1/24 ,  H01J 27/20 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/24 ,  H01J 27/20 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• プラズマプロセス運転支援方法及びその装置並びにプラズマプロセス装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-161372   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-135975   Applicant：堀池靖浩, アネルバ株式会社
• プラズマによるエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-080061   Applicant：日新電機株式会社, 日新ハイテック株式会社
• プラズマCVD方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-165751   Applicant：理化学研究所, 川崎重工業株式会社