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J-GLOBAL ID：200903036947685104

ダイオードレーザー素子

Inventor： ウルリヒ レリック ,  ディルク ロレンツェン
Applicant, Patent owner： イエーノプティーク レーザーダイオード ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
Agent (1)： 伊藤 武久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002078833
Publication number (International publication number)：2002314011
Application date： Mar. 20, 2002
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】熱拡散の点で改善された受動的冷却性ヒートシンクであって、この種のヒートシンクを使用するダイオードレーザー素子が熱的に対称性があり、構成がコンパクトであり、普遍的に使用でき、特に光線の案内と電気回路技術に関し普遍的に使用できるように前記ヒートシンクを構成する。【解決手段】ヒートシンク(1)は、取り付け面(3)をすべてのエッジにおいて取り囲んでいる素材的に閉じた熱拡散領域を有している。この熱拡散領域の外側に位置するように構成要素固定用の繰り抜き部がヒートシンク(1)に形成されている。

Claim (excerpt)：

受動的冷却性のヒートシンクの取り付け面上に取り付けられるダイオードレーザーバーと、ダイオードレーザーバーのためのカバー要素とを備え、ヒートシンクとカバー要素とが導電性があるように構成され、且つ構成要素固定用の繰り抜き部を有しているダイオードレーザー素子において、ヒートシンク(1)が、取り付け面(3)をすべてのエッジにおいて取り囲んでいる素材的に閉じた熱拡散領域を有し、この熱拡散領域の外側に位置するように構成要素固定用の繰り抜き部がヒートシンク(1)に形成されていることを特徴とするダイオードレーザー素子。

IPC (2)：

H01L 23/36 ,  H01L 23/34

FI (2)：

H01L 23/34 A ,  H01L 23/36 Z

F-Term (5)：

5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BD01 ,  5F036BD14 ,  5F036BF01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-009921   Applicant：三菱電機株式会社
• 半導体ステムとその製造方法及び光半導体モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-305658   Applicant：住友電気工業株式会社
• 光放射する電力半導体構成素子を有する装置と該装置を製造するための方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-569476   Applicant：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニーオッフェネハンデルスゲゼルシャフト