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J-GLOBAL ID:200903061106734725

光放射する電力半導体構成素子を有する装置と該装置を製造するための方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 矢野 敏雄 (外4名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2000569476
Publication number (International publication number):2002524883
Application date: Sep. 01, 1999
Publication date: Aug. 06, 2002
Summary:
【要約】光放射する電力半導体構成素子(3)が、良好な熱移行接触部の形成のもと金属製の支持構造体(1)に取り付けられている。プラスチック保護体(9)が、一種のキャップの形式で、光射出領域(8)の切欠のもとで電力半導体構成素子(3)を取り囲む。
Claim (excerpt):
光放射する電力半導体構成素子を有する装置であって、該装置が、良好な熱移行接触部を形成して金属製の支持構造体上に取り付けられている形式のものにおいて、 プラスチック保護体(9)が設けられており、該プラスチック保護体(9)が射出成形によって支持構造体(1)に一体成形されており、 前記プラスチック保護体(9)が、光射出領域(8)を空けて電力半導体構成素子(3)を側方かつ蓋側でほぼ形状整合して被覆していることを特徴とする、光放射する電力半導体素子を有する装置。
IPC (4):
H01S 5/024 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/473 ,  H01S 5/022
FI (4):
H01S 5/024 ,  H01L 23/28 D ,  H01S 5/022 ,  H01L 23/46 Z
F-Term (20):
4M109AA01 ,  4M109BA02 ,  4M109CA21 ,  4M109DB03 ,  4M109DB15 ,  4M109DB16 ,  4M109EB12 ,  4M109FA03 ,  4M109GA01 ,  4M109GA05 ,  5F036AA01 ,  5F036BA10 ,  5F036BB01 ,  5F036BB41 ,  5F036BE01 ,  5F073BA09 ,  5F073FA14 ,  5F073FA26 ,  5F073FA27 ,  5F073FA28
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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