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J-GLOBAL ID：200903037132480555

レーザーアブレーション法による極平坦微結晶ダイヤモンド薄膜の作製方法

Inventor： 吉武 剛 ,  永山 邦仁 ,  原 武嗣
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003398298
Publication number (International publication number)：2005015325
Application date： Nov. 28, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：

【課題】今までのPLD法で成長するダイヤモンド薄膜は、ダイヤモンド結晶粒のサイズが1μm程度あり、かつ膜表面が凸凹であった。【構成】レーザーアブレーション法によるダイヤモンド薄膜の作製方法において、基板温度を450〜650°C、反応チャンバ内を水素雰囲気とし、レーザーエネルギーを100mJ以上、ターゲットと基板間の距離を15〜25mmとしてターゲットと基板間に原子状水素とカーボンの過飽和状態を形成するとともに、基板上に堆積するsp3結合成分とsp2結合成分のうちsp2結合成分(グラファイト成分)を選択的に完全にエッチング除去するに十分な水素雰囲気圧力とすることによって非ダイヤモンド成分を実質的に含まない単相の超平坦微結晶ダイヤモンド薄膜を成長させる。【選択図】 図7

Claim (excerpt)：

レーザーアブレーション法によるダイヤモンド薄膜の作製方法において、基板温度を450〜650°C、反応チャンバ内を水素雰囲気とし、レーザーエネルギーを100mJ以上、ターゲットと基板間の距離を15〜25mmとしてターゲットと基板間に原子状水素とカーボンの過飽和状態を形成するとともに、基板上に堆積するsp3結合成分とsp2結合成分のうちsp2結合成分(グラファイト成分)を選択的に完全にエッチング除去するに十分な水素雰囲気圧力とすることによって非ダイヤモンド成分を実質的に含まない単相の超平坦微結晶ダイヤモンド薄膜を成長させることを特徴とするレーザーアブレーション法による超平坦微結晶ダイヤモンド薄膜の作製方法。

IPC (2)：

C30B29/04 ,  C23C14/06

FI (2)：

C30B29/04 M ,  C23C14/06 F

F-Term (19)：

4G077AA03 ,  4G077BA03 ,  4G077DA03 ,  4G077HA05 ,  4G077HA06 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029DB01 ,  4K029DB20 ,  4K029EA02 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029EA08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• ダイヤモンド薄膜の形成方法および形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-021128   Applicant：住友電気工業株式会社
• 米国特許第5368681号明細書・図面
  
• 炭素系物質の薄膜形成方法及び形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-084606   Applicant：ダイキン工業株式会社
• ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-261703   Applicant：日本放送協会
• ダイヤモンド膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-052552   Applicant：株式会社神戸製鋼所

Cited by examiner (4)

• ダイヤモンド薄膜の形成方法および形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-021128   Applicant：住友電気工業株式会社
• 炭素系物質の薄膜形成方法及び形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-084606   Applicant：ダイキン工業株式会社
• ダイヤモンド膜またはダイヤモンド状炭素膜の成膜方法、および成膜装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-261703   Applicant：日本放送協会
• ダイヤモンド膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-052552   Applicant：株式会社神戸製鋼所

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• Deposition of nano-crystalline diamond films by excimer laser ablation of carbon
• Deposition of nano-crystalline diamond films by excimer laser ablation of carbon
• Growth of diamond by laser ablation of graphite