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J-GLOBAL ID：200903037138235420

焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置

Inventor：
山本 昌邦

About 山本 昌邦

, 
西川 幸一郎

About 西川 幸一郎


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 長尾 達也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998098448
Publication number (International publication number)：1999283911
Application date： Mar. 26, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向の違いによるマスク基板からしみだす光の生じ方が異なる現象を避けることができ、マスクパターンを精度よく転写することが可能な焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置を提供する。【解決手段】マスク基板に対して直線偏光の光を少なくとも2方向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみだす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして焼き付けを行うことを特徴とするものであり、また、本発明のこれらに用いるマスク基板は、x、yを直行する座標軸とすると、一つのマスクパターンをx軸方向に伸びるスリット状の開口とy軸方向に伸びるスリット状の開口に分けて、2つのマスク基板により、一つのマスクパターンを形成することを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
異なる開口方向により形成されたマスク基板に光を入射させ、該マスク基板における光の波長より小さい開口幅からしみだす光によって、感光材料に焼き付けを行う焼き付け方法において、前記マスク基板に対して直線偏光の光を少なくとも2方向から照射し、前記マスク基板の開口方向と照射する光の偏光方向の違いによる該マスク基板からしみだす光の生じ方が異なる現象を避けるようにして、焼き付けを行うことを特徴とする焼き付け方法。
IPC (4)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521
FI (6)：
H01L 21/30 502 P ,  G03F 1/16 E ,  G03F 7/20 501 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 527 ,  H01L 21/30 528
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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