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J-GLOBAL ID:200903037199393240

化学機械平坦化用溝付き研磨パッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2001587969
Publication number (International publication number):2004507077
Application date: May. 24, 2001
Publication date: Mar. 04, 2004
Summary:
半導体ウェハの金属ダマシン構造を研磨するためのパッド及び方法であって、パッドは、高いパッド剛性と共に、低い弾性回復と高いエネルギー散逸を有し、パッドは、約75〜約2540μmの溝深さ(D)、約125〜約1270μmの溝幅(W)及び約500〜3600μmの溝ピッチ(P)とを有する溝を含むマクロテクスチャを有する。溝パターンは、約0.03〜約1.0の溝剛性係数GSQと、約0.03〜約0.9の溝フロー係数GFQとを与える。
Claim (excerpt):
半導体デバイス又はその前駆体の表面を平坦化するための研磨パッドであって、該パッドは該表面を平坦化するための研磨層を有し、該研磨層が、 硬度、引張弾性率、エネルギー損失因子KEL、30°C及び90°Cでの貯蔵弾性率E′の比率、及び1個以上の溝を有する溝パターンを含むマクロテクスチャにより特徴付けられ;該溝パターンが、 約75〜約2,540μmの溝深さ、 約125〜約1,270μmの溝幅、及び 約500〜約3,600μmの溝ピッチを有し、 該溝パターンが、同心、螺旋、クロスハッチ、X-Y格子、六角形、三角形、フラクタル又はこれらの組み合わせである、研磨パッド。
IPC (2):
H01L21/304 ,  B24B37/00
FI (3):
H01L21/304 622F ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 C
F-Term (4):
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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