反応性イオンエッチング装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八木田茂 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997193951
Publication number (International publication number)：1999040544
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Feb. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】高い均一性のプラズマを形成することができ、それにより高均一なエッチングを可能とする反応性イオンエッチング装置を提供する。【解決手段】本発明による反応性イオンエッチング装置は、アンテナを並列に配置し、各アンテナへの電力導入出力部を中心対称に設けると共に、電力導入部までの位相を制御するため分岐部の位置調整ができるようにして、並列に配置したアンテナに高周波電力を印加するように構成される。

Claim (excerpt)：

真空チャンバー内に放電プラズマを発生するための高周波コイルを備えたプラズマ発生装置を有し、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空チャンバー内に導入し、低庄でプラズマを形成するとともに導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して電極上に載置された基板をエッチングする反応性イオンエッチング装置において、プラズマ発生装置の設けられる真空チャンバー部分の壁部を円筒状の誘電体で構成し、この円筒状の誘電体からなる真空チャンバー部分の下部に高周波バイアスを印加する基板電極を設け、円筒状の誘電体からなる真空チャンバー部分の真空壁外側に、プラズマを発生するための高周波コイルを並列に配置し、高周波コイルに対するそれぞれの高周波電力導入・導出部を中心対称の位置に設け、位相制御結合部を通して高周波電力を印加することを特徴とする反応性イオンエッチング装置。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01J 37/32 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 B , H01J 37/32 , H05H 1/46 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-238843 Applicant：株式会社東芝
プラズマ処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-101632 Applicant：アネルバ株式会社
エッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-116154 Applicant：日本真空技術株式会社

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Cited by examiner (3)

プラズマ生成装置およびプラズマ生成方法
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プラズマ処理装置
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エッチング装置
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