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J-GLOBAL ID：200903037264515048

金属配線連結方法

Inventor： 朴 仁善 ,  金 晟泰 ,  李 斗煥 ,  許 元九
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 志賀 正武 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999130294
Publication number (International publication number)：1999345872
Application date： May. 11, 1999
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 金属配線の抵抗増加を防止できる金属配線連結方法を提供する。【解決手段】 半導体基板上に第1導電膜を形成する段階と、第1導電膜を含んで半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、第1導電膜の上部表面が露出される時まで絶縁膜の一部をエッチングしてコンタクトホールを形成する段階と、少なくともコンタクトホールの下部面が覆われるように障壁膜を形成する段階と、障壁膜の膜質を緻密化するため第1熱処理を遂行する段階と、少なくともコンタクトホールの両側壁を覆うようにウエッティングレイヤーを形成する段階と、コンタクトホールが充填されるようにウエッティングレイヤー上に第2導電膜を形成する段階と、コンタクトホールが第2導電膜に完全に充填されるように第2熱処理を遂行する段階とを含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に第1導電膜を形成する段階と、前記第1導電膜を含んで半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、前記第1導電膜の上部表面が露出される時まで前記絶縁膜の一部をエッチングしてコンタクトホールを形成する段階と、少なくとも前記コンタクトホールの下部面が覆われるように障壁膜を形成する段階と、前記障壁膜の膜質を緻密化するため第1熱処理を遂行する段階と、少なくとも前記コンタクトホールの両側壁を覆うようにウエッティングレイヤーを形成する段階と、前記コンタクトホールが充填されるように前記ウエッティングレイヤー上に第2導電膜を形成する段階と、前記コンタクトホールが第2導電膜に完全に充填されるように第2熱処理を遂行する段階とを含むことを特徴とする金属配線連結方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多層配線を有する半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-207031   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-029598   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-104588   Applicant：株式会社東芝