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J-GLOBAL ID:200903037343713262
突起電極を有する電子部品及び突起電極の形成方法並びに突 起電極を有する電子部品のボンディング方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
杉村 次郎
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995191008
Publication number (International publication number):1996222573
Application date: Jul. 05, 1995
Publication date: Aug. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 はんだからなる突起電極を特殊な構造とする。【構成】 柱状の突起電極の下部は高融点はんだ(例えば、Pb95%:Sn5%、融点310〜315°C程度)によって形成された突起電極本体29からなり、上部は低融点はんだ(例えば、Pb37%:Sn63%、融点180〜185°C程度)によって形成された突起電極表面層30からなっている。この場合、突起電極本体29は、はんだよりも融点の高いAu、Cu、Ni等の金属によって形成してもよい。
Claim (excerpt):
突起電極を有する電子部品において、前記突起電極を、高融点はんだからなる突起電極本体と、該突起電極本体の表面の少なくとも所定の一部に形成された低融点はんだからなる突起電極表面層とによって構成したことを特徴とする突起電極を有する電子部品。
IPC (2):
H01L 21/321
, H01L 21/60 311
FI (5):
H01L 21/92 602 B
, H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 E
, H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平3-222334
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半導体装置における微細電極の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-118585
Applicant:日本電装株式会社
-
特開平2-114644
-
半田バンプの製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-143873
Applicant:日本電気株式会社
-
シリコン基板ビアホール形成方法およびマルチチツプモジユール製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-305103
Applicant:富士通株式会社
-
半導体集積回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-110498
Applicant:株式会社島津製作所
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