Pat

J-GLOBAL ID：200903037364778666

化学増幅ポジ型レジスト材料

Inventor： 及川 勝之 ,  石原 俊信 ,  竹村 勝也 ,  竹田 好文 ,  田中 啓順 ,  河合 義夫
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社 ,  日本電信電話株式会社
Agent (1)： 小島 隆司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995286860
Publication number (International publication number)：1996211597
Application date： Oct. 06, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【解決手段】 分子量が100〜1,000であるフェノール性水酸基を有する化合物を溶解促進剤として含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】 本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料は、例えば遠紫外線、電子線、X線等の高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザーに感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性に優れた微細加工技術に適した高解像性を有するもので、実用性の高いものである。

Claim (excerpt)：

分子量が100〜1,000であるフェノール性水酸基を有する化合物を溶解促進剤として含有することを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。

IPC (4)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079113   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-217251
  
• 特開平4-134345
  
• 特開平3-206458
  
• レジスト組成物及びレジストパターンの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-303235   Applicant：日本ゼオン株式会社, 富士通株式会社
• レジスト組成物
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-261054   Applicant：日本ゼオン株式会社
• 特開平4-217251
  
• 特開平4-134345
  
• 特開平3-206458