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J-GLOBAL ID：200903037521867872

インジウム系酸化物微粒子の製造方法、該微粒子を含む透明導電性被膜形成用塗布液および透明導電性被膜付基材、表示装置

Inventor：
俵 迫 祐 二

About 俵 迫 祐 二

, 
金 南 憲

About 金 南 憲

, 
平 井 俊 晴

About 平 井 俊 晴


Applicant, Patent owner：
触媒化成工業株式会社

About 触媒化成工業株式会社


Agent (4)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  高畑 ちより ,  鈴木 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002239453
Publication number (International publication number)：2004075472
Application date： Aug. 20, 2002
Publication date： Mar. 11, 2004
Summary：
【課題】帯電防止性、電磁遮蔽性、反射防止性等に優れるとともに、被膜の強度、透明性にも優れた透明導電性被膜の形成に好適に用いることができるインジウム系酸化物微粒子およびその用途を提供する【解決手段】インジウム系水酸化物をアルコールに分散させ、ついで乾燥した後、200〜500°Cの温度範囲で加熱処理するインジウム系酸化物微粒子の製造方法。インジウム系水酸化物をアルコールに分散させた後、分散液を120〜400°Cの温度範囲でオートクレーブ処理し、ついで乾燥した後、200〜500°Cの温度範囲で加熱処理してもよい。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
インジウム系水酸化物をアルコールに分散させ、ついで乾燥した後、200〜500°Cの温度範囲で加熱処理することを特徴とするインジウム系酸化物微粒子の製造方法。
IPC (5)：
C01G15/00 ,  C09D1/00 ,  C09D5/00 ,  C09D5/24 ,  H01B5/14
FI (5)：
C01G15/00 B ,  C09D1/00 ,  C09D5/00 Z ,  C09D5/24 ,  H01B5/14 A
F-Term (15)：
4J038HA156 ,  4J038HA216 ,  4J038JA19 ,  4J038JA20 ,  4J038JA26 ,  4J038JA33 ,  4J038JA56 ,  4J038JA57 ,  4J038KA20 ,  4J038MA06 ,  4J038MA07 ,  4J038NA20 ,  5G307FB01 ,  5G307FC02 ,  5G307FC09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (11)
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Cited by examiner (12)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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