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J-GLOBAL ID：200903037641371609

半導体加速度センサ

Inventor： 岡田 素英 ,  有川 泰史 ,  堀 正美 ,  野原 一也 ,  古久保 英一 ,  片岡 万士 ,  江田 和夫 ,  青木 亮
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 安藤 淳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002247427
Publication number (International publication number)：2004085390
Application date： Aug. 27, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：

【課題】衝撃に対する信頼性を向上した半導体加速度センサを提供する。【解決手段】本発明は、支持枠の表裏に貫通する矩形の開口窓内に開口窓の各辺に対してそれぞれの辺が略平行に配置される矩形部を有する錘部が略平行に複数設けられる可撓性を有する矩形の梁部を介して支持枠の一辺に一体に連結され、錘部への加速度の作用により梁部に生じる応力を検出する歪検出素子が設けられたセンサ本体と、支持枠に接合されて錘部が動作する範囲を制限するカバーとを備えた半導体加速度センサにおいて、両端の梁部の外側側面と錘部の矩形部の側面とが同一平面上となるものであることを特徴としている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

支持枠の表裏に貫通する矩形の開口窓内に開口窓の各辺に対してそれぞれの辺が略平行に配置される矩形部を有する錘部が、略平行に複数設けられる可撓性を有する矩形の梁部を介して支持枠の一辺に一体に連結され、錘部への加速度の作用により梁部に生じる応力を検出する歪検出素子が設けられたセンサ本体と、支持枠に接合されて錘部が動作する範囲を制限するカバーとを備えた半導体加速度センサにおいて、両端の梁部の外側側面と錘部の矩形部の側面とが同一面上で連続するものであることを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (1)：

G01P15/12

FI (1)：

G01P15/12 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体加速度センサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-287082   Applicant：松下電工株式会社
• シリコン加速度センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-117400   Applicant：日本航空電子工業株式会社
• 半導体加速度センサおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-036487   Applicant：松下電工株式会社