3-5族化合物半導体用電極の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150311
Publication number (International publication number)：1997008356
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ドライエッチングを行なった際のエッチングダメージを回復させ、電流注入特性が優れた3-5族化合物半導体用電極を製造する。【構成】3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次に不活性雰囲気中で400°C以上で熱処理し、次に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次にリン酸と硫酸とを含む溶液にて処理し、次に電極を形成する工程を有する3-5族化合物半導体用電極の製造方法。ドライエッチングが、稀ガス、ハロゲン元素を含む分子又はこれらの混合ガスを用いる。

Claim (excerpt)：

一般式Inx Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いる電極の製造方法において、該3-5族化合物半導体をドライエッチングし、次に不活性雰囲気中で400°C以上で熱処理し、次に電極を形成する工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。

IPC (5)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341 , H01S 3/18

FI (6)：

H01L 33/00 E , H01L 21/28 301 H , H01L 21/304 341 D , H01S 3/18 , H01L 21/302 F , H01L 21/302 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体発光装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004719 Applicant：旭化成工業株式会社
半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-057688 Applicant：ローム株式会社
特開平1-278025

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