窒化物化合物半導体の電極形成方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997005994
Publication number (International publication number)：1998209072
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 p型GaNに対して、低抵抗なオーミック電極を実現する。【解決手段】 p型GaNを真空蒸着装置に入れる直前に、沸酸溶液に浸し、水洗した後に窒素ガスで乾燥させ、真空蒸着装置に入れる。その後、600°Cの加熱処理を行い、Niを10nmとAuを300nm蒸着する。真空中で600°Cで加熱することにより、酸化物がある程度除去されるので、オーミック特性が向上する。

Claim (excerpt)：

3族元素に窒素を含む3-5族化合物半導体の表面を塩酸、沸酸、硫酸、または燐酸あるいはこれらの水溶液でエッチングする工程と、該半導体のエッチング後の表面を真空中あるいは窒素中で加熱し、しかる後に真空中でニッケル、クロム、マグネシウム、パラジウム、金、白金のうちの一層、または該金属の1層以上の組み合わせからなる複数の層を形成することを特徴とする窒化物化合物半導体の電極形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/28 301 H , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (13)

3-5族化合物半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-150310 Applicant：住友化学工業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその電極形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-302586 Applicant：日亜化学工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-150311 Applicant：住友化学工業株式会社

特開平4-209578

半導体発光素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-196853 Applicant：ローム株式会社

化合物半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-333047 Applicant：株式会社東芝

オーミック電極及びその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-160101 Applicant：ソニー株式会社

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-213791 Applicant：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社

特開平2-061077

半導体装置の表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-359328 Applicant：日本ビクター株式会社

化合物半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-309448 Applicant：住友金属工業株式会社

半導体薄膜製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-237818 Applicant：株式会社日立製作所

傾斜表面シリコンウエハ及びその表面構造の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-087593 Applicant：東芝セラミックス株式会社

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