Pat
J-GLOBAL ID：200903037770614127

気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を作成するプロセス

Inventor：
ベルナール、ボーモン

About ベルナール、ボーモン

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ピエール、ギバール

About ピエール、ギバール

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ジャン-ピエール、フォーリー

About ジャン-ピエール、フォーリー


Applicant, Patent owner：
リュミログ

About リュミログ


Agent (6)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  箱崎 幸雄
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004523874
Publication number (International publication number)：2005534182
Application date： Jul. 24, 2003
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：
本発明は、気相エピタキシにより低い欠陥密度を有する窒化ガリウム膜を準備する方法に関する。本発明は、窒化ガリウムの気相エピタキシ蒸着により基板から窒化ガリウム(GaN)膜を製造する方法に関する。本発明において、窒化ガリウム蒸着は少なくとも1つの気相エピタキシャル横方向過度成長のステップを含み、前記気相エピタキシャル横方向過度成長ステップの少なくとも1つに先行して、事前に蒸着された誘電体マスクに、または直接基板に孔のエッチングを行い、前記エピタキシャル横方向過度成長ステップの1つの間に転位の環境内に非対称を導入することにより最大の数の湾曲を転位に発生させ、湾曲した転位は結果として生じた窒化ガリウム層の表面には出現しないことを特徴とする。本発明はまた、前記窒化ガリウム膜から製造された光電子および電子部品に関する。
Claim (excerpt)：
気相エピタキシにより窒化ガリウム(GaN)を蒸着することによって、基板から開始してGaNの膜を作成するプロセスであって、 前記GaN蒸着は少なくとも1つの気相エピタキシャル横方向過度成長(ELO)ステップを含み、これらのELOステップの少なくとも1つに先行して: 事前に蒸着された誘電体マスクに または直接基板に 孔のエッチングを行い、 湾曲した転位はこのようにして得たGaN層の表面に出現しないので、上記ELOステップの1つの間に転位環境内に非対称を導入することにより可能な限り大きな数の転位湾曲を発生させることを特徴とする、プロセス。
IPC (6)：
H01L21/205 ,  C30B23/04 ,  C30B29/38 ,  C30B30/02 ,  C30B30/04 ,  H01S5/323
FI (6)：
H01L21/205 ,  C30B23/04 ,  C30B29/38 D ,  C30B30/02 ,  C30B30/04 ,  H01S5/323 610
F-Term (20)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EJ01 ,  4G077EJ02 ,  4G077EJ04 ,  4G077HA02 ,  4G077SC10 ,  5F045AB14 ,  5F045BB12 ,  5F045DB02 ,  5F045HA16 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AP04 ,  5F173AP06 ,  5F173AP19 ,  5F173AP20 ,  5F173AP33 ,  5F173AR96
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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