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J-GLOBAL ID：200903092248374788

窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子

Inventor：
長濱 慎一

About 長濱 慎一

, 
小崎 徳也

About 小崎 徳也


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999080288
Publication number (International publication number)：2000277437
Application date： Mar. 24, 1999
Publication date： Oct. 06, 2000
Summary：
【要約】【課題】 窒化物半導体を基板としてデバイス構造を形成した場合、劈開により共振面を形成しても、基板に欠けやクラックの発生が生じず、更に、寿命特性を良好にでき、実用化に際しての素子の信頼性が向上するような転位の低減される窒化物半導体基板の得られる窒化物半導体の成長方法、また、本発明の窒化物半導体の成長方法により得られる窒化物半導体を基板とし、寿命特性など素子特性の良好な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 窒化物半導体基板1上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法(第1の保護膜11又は第1の凹凸13を形成してなる方法)により、第1の窒化物半導体2を成長させる。また得られた第1の窒化物半導体2上にデバイス構造を形成して窒化物半導体素子を得る。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体基板上に、窒化物半導体の横方向の成長を利用して転位の低減される方法により、第1の窒化物半導体を成長させる第1の工程を有することを特徴とする窒化物半導体の成長方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (5)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673 ,  H01L 31/04 E ,  H01L 31/08 P
F-Term (56)：
5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA13 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F051AA08 ,  5F051BA11 ,  5F051CB08 ,  5F051CB10 ,  5F051CB30 ,  5F051GA03 ,  5F073AA07 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA32 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29 ,  5F088AB07 ,  5F088BA13 ,  5F088CB04 ,  5F088CB07 ,  5F088CB14 ,  5F088GA02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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