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J-GLOBAL ID：200903056520204335

半導体基板およびその作製方法および発光素子

Inventor：
岩田 浩和

About 岩田 浩和


Applicant, Patent owner：
株式会社リコー

About 株式会社リコー


Agent (1)： 植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000032694
Publication number (International publication number)：2001217506
Application date： Feb. 03, 2000
Publication date： Aug. 10, 2001
Summary：
【要約】【課題】 結晶欠陥の少ない高品質かつ大面積のIII族窒化物の半導体基板およびその作製方法および発光素子を提供する。【解決手段】 単体、あるいは積層構造を有する第一の基板1000上に、少なくともその上面が、結晶方位がそろった単結晶である複数の柱状構造体あるいは板状構造体1200を分散して形成する第1の工程と、個々の柱状構造体あるいは板状構造体1200の上部で連結された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層1040を形成する第2の工程と、柱状構造体あるいは板状構造体1200が分散して成る領域を分離領域として、III族窒化物半導体層1040を第一の基板1000から分離し、分離されたIII族窒化物半導体層1040をIII族窒化物の半導体基板として得る第3の工程とを有している。
Claim (excerpt)：
単体、あるいは積層構造を有する第一の基板上に、少なくともその上面が、結晶方位がそろった単結晶である複数の柱状構造体あるいは板状構造体を分散して形成する工程と、個々の柱状構造体あるいは板状構造体の上部で連結された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、柱状構造体あるいは板状構造体が分散してなる領域を分離領域として、III族窒化物半導体層を第一の基板から分離して半導体基板とする工程とを有していることを特徴とする半導体基板の作製方法。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 33/00 C
F-Term (19)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073DA22 ,  5F073DA35 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • PENDEO-EPITAXY-A NEW APPROACH FOR LATERAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE STRUCTURES
Cited by examiner (1)
  • PENDEO-EPITAXY-A NEW APPROACH FOR LATERAL GROWTH OF GALLIUM NITRIDE STRUCTURES

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