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J-GLOBAL ID：200903037905902780

シリコン及びシリコン合金内の相補型接合型電界効果トランジスタ及びMOSトランジスタを用いた集積回路

Inventor：
カプール,アショク,ケイ

About カプール,アショク,ケイ


Applicant, Patent owner：
ディーエスエム ソリューションズ,インコーポレイテッド

About ディーエスエム ソリューションズ,インコーポレイテッド


Agent (3)： 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008538040
Publication number (International publication number)：2009514233
Application date： Oct. 30, 2006
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：
シリコン内の接合型電界効果トランジスタを用いて相補型論理回路を構築する方法が開示される。本発明は、理想的に、好ましくは65nm未満のディープサブミクロンの寸法に適したものである。本発明の基礎となるものは、エンハンスメントモードで動作する相補型接合型電界効果トランジスタである。このJFETの速度-パワー性能はサブ70nm寸法のCMOSデバイスに匹敵するものになる。しかしながら、JFETの最大電源電圧は依然として内蔵電位(ダイオードの電圧降下)より小さく制限される。より高い電圧レベルまで駆動される外部回路へのインターフェースを必要とする一定の用途を満足させるため、本発明は、JFETと同一基板上にCMOSデバイスを構築する構造及び方法を含む。
Claim (excerpt)：
接合型電界効果トランジスタであって: 第1導電型の半導体基板; 前記半導体基板の表面に隣接して前記半導体基板内に形成された、第1導電型とは逆の第2導電型のウェル領域; 前記半導体基板の表面に隣接して前記半導体基板内に形成された、誘電体材料から成る絶縁領域であり、前記ウェル領域を囲んでいる絶縁領域; 前記半導体基板の表面に隣接して前記ウェル領域内に形成された、第1導電型の互いに重なり合わない第1及び第2の領域であり、それぞれ、当該接合型電界効果トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成する第1及び第2の領域; 前記ソース領域と前記ドレイン領域との間で前記半導体基板上に位置する第1部分と、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一部上に位置する第2部分と、前記絶縁領域の一部上に位置する第3部分とを有する、第2導電型のゲート電極領域; 前記ゲート電極領域の前記第1部分全体の直下で前記ウェル領域内に形成された、第2導電型のゲート領域であり、前記ゲート電極領域からドープされ、或る不純物濃度を有するゲート領域;及び 前記ゲート領域全体の直下で前記ウェル領域内に形成された、第1導電型のチャネル領域; を有する接合型電界効果トランジスタ。
IPC (8)：
H01L 21/337 ,  H01L 29/808 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/095
FI (5)：
H01L29/80 C ,  H01L27/08 102A ,  H01L27/06 F ,  H01L27/06 101U ,  H01L29/80 E
F-Term (46)：
5F048AA01 ,  5F048AA09 ,  5F048AB04 ,  5F048AC03 ,  5F048AC05 ,  5F048AC09 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BE09 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BF18 ,  5F048BG13 ,  5F082AA08 ,  5F082BA05 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC08 ,  5F082BC09 ,  5F082CA01 ,  5F082DA10 ,  5F082EA09 ,  5F082FA05 ,  5F082GA02 ,  5F082GA04 ,  5F102GA01 ,  5F102GA03 ,  5F102GA05 ,  5F102GA12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL02 ,  5F102GL03 ,  5F102GM02 ,  5F102GR08 ,  5F102GR09 ,  5F102HC07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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