窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：豊栖康弘 , 石井久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003041277
Publication number (International publication number)：2004253545
Application date： Feb. 19, 2003
Publication date： Sep. 09, 2004
Summary：

【課題】セルフアライメント方式のエッチングを行う窒化物半導体素子の製造方法において、半導体層との接触抵抗が低く、また、駆動時においても劣化が少なく寿命特性に優れた窒化物半導体素子の製造を可能にする。【解決手段】半導体層表面に、第1層205aと、その上に接して白金族元素からなる第2層205bとを有する金属層を積層し、金属層から露出された半導体層の一部を除去するエッチング工程を含む窒化物半導体素子の製造方法において、第1層205aは合金化可能な材料からなり、金属層を積層した後に、第1層205aを合金化する合金化工程と、合金化工程及び/又はエッチング工程により第1層205aの端面に形成された反応生成物212を除去する反応生成物除去工程とを具備する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

半導体層表面に、第1層と、その上に接して白金族元素からなる第2層とを有する金属層を積層し、該金属層から露出された前記半導体層の一部を除去するエッチング工程を含む窒化物半導体素子の製造方法において、前記第1層は合金化可能な材料からなり、前記金属層を積層した後に合金化処理する合金化工程と、前記合金化工程及び/又は前記エッチング工程により第1層の端面に形成された反応生成物を除去する反応生成物除去工程とを具備してなることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (4)：

H01S5/042 , C23F4/00 , H01S5/22 , H01S5/343

FI (4)：

H01S5/042 612 , C23F4/00 A , H01S5/22 , H01S5/343 610

F-Term (22)：

4K057DA01 , 4K057DB01 , 4K057DB15 , 4K057DC01 , 4K057DD01 , 4K057DE01 , 4K057DN01 , 5F073AA11 , 5F073AA61 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB03 , 5F073CB06 , 5F073CB13 , 5F073CB22 , 5F073DA04 , 5F073DA05 , 5F073DA06 , 5F073DA16 , 5F073DA24 , 5F073DA35 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-279020 Applicant：三洋電機株式会社
半導体のエッチングマスクとその製造方法及び半導体の加工方法と半導体レーザの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-283794 Applicant：松下電器産業株式会社
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-236743 Applicant：株式会社東芝

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