窒化物系半導体レーザ素子およびその形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001279020
Publication number (International publication number)：2002305358
Application date： Sep. 14, 2001
Publication date： Oct. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】低コンタクト性を損なうことなく、電極層全体の窒化物系半導体層に対する付着力を強くすることによって、低動作電圧で、かつ、信頼性の高い窒化物系半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、p型GaNコンタクト層108と、p型GaNコンタクト層108上に形成され、p型GaNコンタクト層108に対する付着力の強い材料を含む3nm以下の厚みを有するPt電極層109と、Pt電極層109上に形成され、Pt電極層109よりもp型GaNコンタクト層108に対する付着力が弱いとともに、Pt電極層109よりもp型GaNコンタクト層108に対するコンタクト抵抗が低いPd層を含むPd系電極層110とを備えている。

Claim (excerpt)：

活性層上に形成された窒化物系半導体層と、前記窒化物系半導体層上に形成された電極層とを備え、前記電極層は、前記窒化物系半導体層に対する付着力の強い材料を含む第1電極層と、前記第1電極層上に形成され、前記第1電極層よりも前記窒化物系半導体層に対する付着力が弱いとともに、前記電極層の前記窒化物系半導体層に対するコンタクト抵抗を低下させる第2電極層とを含む、窒化物系半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/28 301

FI (2)：

H01S 5/343 610 , H01L 21/28 301 H

F-Term (26)：

4M104AA04 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD16 , 4M104DD22 , 4M104DD35 , 4M104DD66 , 4M104DD68 , 4M104DD71 , 4M104FF13 , 4M104GG04 , 4M104HH08 , 5F073AA13 , 5F073AA74 , 5F073CA07 , 5F073CB05 , 5F073CB07 , 5F073CB22 , 5F073DA05 , 5F073DA24 , 5F073EA28 , 5F073EA29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-077477 Applicant：株式会社東芝
化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-016825 Applicant：株式会社東芝
p型のIII族窒化物半導体層上の電極構造とその形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-125121 Applicant：シャープ株式会社

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