Pat
J-GLOBAL ID：200903037992058133

半導体装置

Inventor：
張 暁美

About 張 暁美

, 
佐竹 秀喜

About 佐竹 秀喜


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003178390
Publication number (International publication number)：2005019463
Application date： Jun. 23, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】リーク電流などが減少する薄膜構造部分をもつ半導体装置を提供すること。【解決手段】シリコン基板11上に形成したシリコン薄膜12と、このシリコン薄膜12上に形成した高誘電体絶縁膜13とを具備し、シリコン薄膜12を構成する組成元素および高誘電体絶縁膜13を構成する組成元素の少なくとも1つが複数の同位体を有し、かつ、自然同位体での存在度が一番大きい少なくとも1つの同位体の存在度が、自然同位体における存在度よりも大きい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成した半導体薄膜と、この半導体薄膜上に形成した高誘電体薄膜とを具備し、前記半導体薄膜を構成する組成元素および前記高誘電体薄膜を構成する組成元素の少なくとも1つが複数の同位体を有し、かつ、自然同位体での存在度が一番大きい少なくとも1つの同位体の存在度が、自然同位体における存在度よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
IPC (5)：
H01L29/78 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786
FI (7)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 X ,  H01L29/78 301H ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V
F-Term (65)：
5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC02 ,  5F045AC16 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF12 ,  5F058BJ04 ,  5F110AA06 ,  5F110AA23 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE02 ,  5F110EE32 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC11 ,  5F140BC12 ,  5F140BC19 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE20 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BG03 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG30 ,  5F140BG38 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ05 ,  5F140BK13 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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